- 接触电势差
- 势垒电容
- 电阻截止频率
- 电抗截止频率
- 崩越二极管电压增益
- 崩越二极管最大输出功率
- 外延层击穿电压
- NPN晶体管共基极放大时电压增益
- NPN晶体管共基极放大时功率增益
- 共射极最大高频功率增益
- 电荷控制方程基区总电荷
- 基区扩展宽度
- 大注入时晶体管特征频率
- 发射极金属条长
- 晶体管工作时总耗散功率
- 晶体管瞬态时最大耗散功率
- MOS管饱和工作区的漏源电流
- MOS管耗尽区宽度
- 漏源穿通电压
- 微观粒子的频率
- 电势差加速后电子的动能
- 电势差加速后电子的速率
- 电势差加速后电子的德布罗意波长
- 电子单缝衍射横向动量不确定量
- 原子中电子速度的不确定度
- 粒子的位置坐标的不确定度
- 时间不确定度
- 能量不确定度
- 一维无限深势阱中粒子第n级能量
- 一维无限深势阱中粒子最小能量
- 无限深势阱中粒子与表面的距离
- 电子自旋角动量
- 电子自旋角动量在外磁场的投影
友情提醒：建议横屏查看
已知条件
计算结果
耗尽区宽度=
耗尽区宽度计算公式:
说明
MOS管进入饱和工作区后，继续增加漏源电压，沟道夹断点向源端方向移动，在漏端将出现耗尽区