- 接触电势差
- 势垒电容
- 电阻截止频率
- 电抗截止频率
- 崩越二极管电压增益
- 崩越二极管最大输出功率
- 外延层击穿电压
- NPN晶体管共基极放大时电压增益
- NPN晶体管共基极放大时功率增益
- 共射极最大高频功率增益
- 电荷控制方程基区总电荷
- 基区扩展宽度
- 大注入时晶体管特征频率
- 发射极金属条长
- 晶体管工作时总耗散功率
- 晶体管瞬态时最大耗散功率
- MOS管饱和工作区的漏源电流
- MOS管耗尽区宽度
- 漏源穿通电压
- 微观粒子的频率
- 电势差加速后电子的动能
- 电势差加速后电子的速率
- 电势差加速后电子的德布罗意波长
- 电子单缝衍射横向动量不确定量
- 原子中电子速度的不确定度
- 粒子的位置坐标的不确定度
- 时间不确定度
- 能量不确定度
- 一维无限深势阱中粒子第n级能量
- 一维无限深势阱中粒子最小能量
- 无限深势阱中粒子与表面的距离
- 电子自旋角动量
- 电子自旋角动量在外磁场的投影
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已知条件
计算结果
最大耗散功率Pcms=
最大耗散功率Pcms计算公式:
说明
在开关和脉冲电路中，结温和管壳温度随时间变化，热阻也是随时间变化的热阻，因而在开关和脉冲电路中晶体管的耗散功率也是随时间变化的在最高结温下会有瞬态最大耗散功率