公式类
无量纲类
系数类
接触电势差
势垒电容
电阻截止频率
电抗截止频率
崩越二极管电压增益
崩越二极管最大输出功率
外延层击穿电压
NPN晶体管共基极放大时电压增益
NPN晶体管共基极放大时功率增益
共射极最大高频功率增益
电荷控制方程基区总电荷
基区扩展宽度
大注入时晶体管特征频率
发射极金属条长
晶体管工作时总耗散功率
晶体管瞬态时最大耗散功率
MOS管饱和工作区的漏源电流
MOS管耗尽区宽度
漏源穿通电压
微观粒子的频率
电势差加速后电子的动能
电势差加速后电子的速率
电势差加速后电子的德布罗意波长
电子单缝衍射横向动量不确定量
原子中电子速度的不确定度
粒子的位置坐标的不确定度
时间不确定度
能量不确定度
一维无限深势阱中粒子第n级能量
一维无限深势阱中粒子最小能量
无限深势阱中粒子与表面的距离
电子自旋角动量
电子自旋角动量在外磁场的投影
各壳层层最多容纳电子数
各支壳层最多可容纳电子数
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已知条件
基区宽度Eb=
基区扩展宽度△Wb=
扩散系数Dnb=
m
m
计算
清除
计算结果
特征频率fT=
特征频率fT计算公式:
说明
大注入条件下,晶体管特征频率主要由载流子在基区的渡越时间决定。
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