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已知条件

临界电流密度Jcr= 注入电流密度Jc= 集电区厚度Wc= 漂移速度Vs= 电子电荷量q= 掺杂浓度Nc=
A/m² A/m² m m/s eV cm^(-3)

计算结果

基区扩展宽度△Wb=

基区扩展宽度△Wb计算公式:

说明

在大电流作用下，会出现基区扩展效应，即晶体管的有效基区宽度随注入电流的增加而扩展。